Page 98 - Zur Reinheit funktionaler Oberflächen

bleibt aber unberücksichtigt, dass gerade die Tücher mit einem
hohen Wischrückstand eine besonders hohe Reinigungs-Effek-
tivität aufweisen.

Die Erfordernisse der Techniken des Reinen Arbeitens
bestimmen die jeweils eingesetzten HiTech-Wischmittel,
deren Materialstruktur drei unterschiedliche Kontami-
nanten enthält, die nachstehend wie folgt grundlegend
kategorisiert sind:

1-partikuläre Kontaminanten, bestehend aus Fest-
stoffteilchen und Faserfragmenten aus der Wischmittel-
Matrix, deren Inhaltsstoffen oder aus externen Quellen
unterschiedlicher Art. (z. B. durch Sedimentation). Diese
Art der Verunreinigung ist in der vorliegenden Schrift nicht
behandelt.
2-filmische Kontaminanten, (NVR-non volatile residue)
bestehend aus Textil-Präparationen chemischen Ursprungs
wie Tensiden, Weichmachern, Faden-Gleitmitteln, Spinn-
und Stricköl-Präparationen und Antistatik-Ausrüstungen.
Diese Verunreinigungsart ist in der vorliegenden Schrift
behandelt.

3-flüchtige Kontaminanten, (VOC-volatile organic
compounds) bestehend aus Kohlenstoff-haltigen Stoffen,
die bei Temperaturen oberhalb der Raumtemperatur in
den gasförmigen Zustand übergehen. Zur Gruppe der
VOC gehören organische Säuren, Stickoxide, Alkohole und
Kohlenwasserstoffe. Sie sind gleichfalls in dieser Schrift
behandelt.

Während filmische Inhaltsstoffe (NVR) von Verbrauchsmate-
rialien der Reintechnik lediglich im Direktkontakt an funkti-
onale Objekt-Oberflächen weitergegeben werden (und diese
also kontaminieren, gelangen flüchtige Verbindungen dann in
die Raumluft, wenn beispielsweise alkoholische oder andere
Lösungsmittel aus Feststoffen schnell oder pastose Produkte
langsam verdunsten, dann in den luftgetragenen Zustand
übergehen und nach dieser atmosphärischen „Reise“ mit
zeitlicher Verzögerung - beispielsweise als time dependent
haze (TDH) - auf beliebigen Oberflächen ihren entsprechenden
Ruheort finden. Wir müssen davon ausgehen, dass VOC in
unterschiedlichen atmosphärischen Konzentrationen allgegen-
wärtig sind. Münter, Kolbesen, Storm und Müller [1] verdanken
wir wertvolle Erkenntnisse über die zeitabhängige Ablagerung
von time dependent haze auf Silizium-Oberflächen. Wir haben
speziell ihre Literatur wegen ihrer Nähe zur Halbleiter-Ferti-
gungs-Technologie gewählt, weil auch die bei uns gefertigten
HiTech-Reinigungs-Tücher indirekt und je nach Kontaminati-
onsgrad auf die Silizium-Oberflächen der Wafer wirken, sofern
sie denn einmal dorthin gelangen.

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