Page 291 - Zur Reinheit funktionaler Oberflächen

16.6 Die Chargendifferenzen gelangen können und dort zur Kontamination beitragen. Es ist
daher ratsam, von Zeit zu Zeit die Fixierwalzen-Temperaturen
reinraum-gebundener Kopiergeräte zu überprüfen. Bei Prob-
lemen mit zu geringer Tonerhaftung auf dem Papier muss der
Fehler stets in diesem Bereich und nicht beim Papier gesucht
werden. Abb. 23 zeigt ein Diagramm der Oberflächen-Rauig-
keiten marktgängiger Papiere der Reintechnik.
Papier ist bis zu einem gewissen Grade ein lebendes Mate-
rial und so können verschiedene Produktionschargen etwas
unterschiedlich ausfallen. Während die typischen Parameter
von Papieren wie Dicke, Durchreißkraft und Weiterreißkraft
mit der heutigen Fertigungstechnologie gleichbleibend gut zu
beherrschen sind, kann man nicht davon ausgehen, dass alle
reintechnischen Parameter bei jeder Produktionscharge gleiche
Werte zeigen. So kann beim Streichen der Papiere mit einer
Schutzschicht die Oberflächen-Rauigkeit gewissen Schwan-
kungen unterworfen sein. Auch ändert sich die Rollneigung der
Papiere wenn beide Seiten nacheinander mit einem Einseiten-
Streichwerk gestrichen werden. Es können zudem die ionoge-
nen Inhaltsstoffe gewissen Schwankungen unterworfen sein.
Die Tatsache, dass bei Reinraum-Papieren herstellungsseitig
keine Füllstoffe zur Glättung eingesetzt werden dürfen, bedingt
naturgemäß auch faserstoffabhängige Unterschiede in der
Oberflächen-Rauigkeit.

16.7 Neue Applikationen: Organische Organische Transistoren (Abb. 29) für flexible Elektronik-
Transistoren auf Papiersubstrat Applikationen werden normalerweise auf Polymer- Substrate
aufgebracht. In Anbetracht der weltweit negativen Auswirkun-
gen von Plastikmüll auf die Umgebung einerseits und anderer-
Organic semiconductor AIO SAM gate dielectric seits im Sinne der Nutzbakeit bestimmter Eigenschaften von
X
Source Drain Papier gibt es in den vergangenen Jahren einen Zuwachs an
Bemühungen Papier als Substrate für organische Transistoren
Al gate electrode zu nutzen. In diesem Sinne haben die Wissenschaftler des
Paper Max-Planck-Instituts für Festkörperforschung Ute Zschieschang
und Hagen Klauk vielversprechende Versuche mit Galaxy -
®
© MPI für Festkörperforschung
Spezial-Papier als Trägermaterial gemacht. (Clear & Clean
Abb. 29 Schnittbild eines DNTT-Transistors GmbH Lübeck) Dabei benutzten sie im Vakuum abgeschiede-
mit einer Kanal-Länge von 40 µm auf Galaxy - nes niedermolekulares Halbleiter-Dinaphtol [2,3-b: 2´, 3´-f]
®
Reinraum-Papier Clear & Clean GmbH gefertigt.
[3,2-b-Thiophen (DNTT). Es wurde ein dünnes Gate-Dielekt-
rikum mit hoher Kapazität verwendet, mit dem die TFTs mit
In summary, we have fabricated organic niedrigen Spannungen von 2 V betrieben werden können. Die
transistors direcly on the surface of com- 2
mercially available paper, without applying a TFTs haben eine Ladungsträger-Mobilität von 1,6 cm / Vs,
6
protective or planarization coating. Using the ein Ein-Aus-Stromverhältnis von 10 und eine Unterschwellen-
vacuum-deposited small-molecule organic se- Steigung von 90 mV / Dekade. Darüber hinaus weisen die TFTs
miconductor DNTT, we have achieved a carrier einen sehr großen Ausgangs-Differenz-Widerstand auf, was
mobility of 1.6 cm²/Vs, an on/off current ratio
of 10 , and a subthreshold slope of 90 mV/ eine wichtige Voraussetzung für Anwendungen in Analogschal-
6
decade. In addition, the TFTs display a very tungen und Aktiv-Matrixanzeigen ist. Die Forschungsergeb-
large differential output resistance. nisse und Applikationen sind in der Literatur umfänglich und
Autoren: U. Zschieschang und H. Klauk
© Max-Planck-Institut für Festkörperforschung lehrreich beschrieben [2, 3].

291